مقاله شبیه سازی عددی جابه جایی آزاد نانوسیال در حفره گرم شده از کف در حضور میدان مغناطیسی خارجیبا استفاده از روش شبکه بولتزمن

توضیحات

  مقاله شبیه سازی عددی جابه جایی آزاد نانوسیال در حفره گرم شده از کف در حضور میدان مغناطیسی خارجیبا استفاده از روش شبکه بولتزمن دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی عددی جابه جایی آزاد نانوسیال در حفره گرم شده از کف در حضور میدان مغناطیسی خارجیبا استفاده از روش شبکه بولتزمن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی عددی جابه جایی آزاد نانوسیال در حفره گرم شده از کف در حضور میدان مغناطیسی خارجیبا استفاده از روش شبکه بولتزمن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی عددی جابه جایی آزاد نانوسیال در حفره گرم شده از کف در حضور میدان مغناطیسی خارجیبا استفاده از روش شبکه بولتزمن :

تعداد صفحات:8
چکیده:
در این مقاله جابه جایی آزاد یک نانو سیال در یک حفره گرم شده از کف در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی به صورت عددی با استفاده از روش شبکه بولتزمن مورد بررسی قرار گرفت. حفره مربعی از مخلوط کرسن کبالت پرشده است. این بررسی با دیگر کارهای تجربی و عددی مقایسه شده و هماهنگی قابل قبولی مشاهده شد. مشخصات ترموفیزیکی نانوسیال را به جز چگالی که متغیر است و از مدل تقریب زینسک استفاده شده است را ثابت فرض می کنیم. اثر عدد رایلی،ضریب مغناطیسی، طول منبع گرما و کسر حجمی کبالت در سیال و مشخصات انتقال گرما مورد برسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که با افزایش اعداد رایلی،طول منبع گرمایی و کسر حجمی، مقادیر دما نیز افزایش پیدا می کند. عدد ناسلت رابطه مستقیمی با عدد رایلی و طول منبع حرارتی و رابطه معکوسی با کسرحجمی کبالت دارد. همچنین هرچه ضریب مغناطیسی کوچکتر باشد پروفیل دمایی افزایش خواهد یافت.

برای دریافت اینجا کلیک کنید